常見問答
1、深紫外LED燈珠發(fā)光機理：PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定勢壘，當加正向偏置電壓時勢壘降低，P區(qū)和N區(qū)的大都載流子向?qū)Ψ椒稚?。因為電子遷移率比空穴遷移率大得多，所以會呈現(xiàn)大量電子向P區(qū)分散，構(gòu)成對P區(qū)少量載流子的寫入。這些電子與價帶上的空穴復合，復合時得到的能量以光能的方法開釋出去。這即是PN結(jié)發(fā)光的原理。
2、深紫外LED燈珠發(fā)光功率：通常稱為組件的外部量i子功率，其為組件的內(nèi)部量i子功率與組件的取出功率的乘積。所謂組件的內(nèi)部量i子功率，本來即是組件自身的電光轉(zhuǎn)換功率，首要與組件自身的特性（如組件資料的能帶、缺點、雜質(zhì)）、組件的壘晶構(gòu)成及構(gòu)造等相關(guān)。而組件的取出功率則指的是組件內(nèi)部產(chǎn)生的光子，在通過組件自身的吸收、折射、反射后，實踐在組件外部可測量到的光子數(shù)目。
因而，對于取出功率的因素包含了組件資料自身的吸收、組件的幾許構(gòu)造、組件及封裝資料的折射率差及組件構(gòu)造的散射特性等。而組件的內(nèi)部量i子功率與組件的取出功率的乘積，即是整個組件的發(fā)光作用，也即是組件的外部量i子功率。早期組件開展會集在進步其內(nèi)部量i子功率，首要辦法是通過進步壘晶的質(zhì)量及改動壘晶的構(gòu)造，使電能不易轉(zhuǎn)換成熱能，進而直接進步深紫外LED燈珠的發(fā)光功率，然后可獲得70%擺布的理論內(nèi)部量i子功率，可是這么的內(nèi)部量i子功率幾乎現(xiàn)已挨近理論上的極限。
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